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EPC2012中文资料

EPC2012图片

EPC2012外观图

  • 大小:1577KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
  • 产品培训模块:Paralleling eGaN? FETs
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:eGaN®
  • FET 型:GaNFET N 通道,氮化镓
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 100V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:128pF @ 100V
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商设备封装:模具
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:917-1017-6

EPC2012供应商

更新时间:2023-01-01 13:30:16
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